RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
65
Wokół strony -261% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3536
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link