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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3238
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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