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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
65
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,711.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
30
Velocità di lettura, GB/s
4,018.7
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,711.1
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
513
3238
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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