RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
66
Autour de -94% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3606
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link