RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
66
Autour de -187% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2545
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link