RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En -187% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2545
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link