RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
66
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2620
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link