RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
66
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
2620
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link