RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
66
Autour de -128% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3434
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link