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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 17.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB 需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 66
    左右 -128% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    2,929.1 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 14.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 3434

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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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