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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
18.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
18.3
19.1
写入速度,GB/s
14.5
14.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3454
3363
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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