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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
23
读取速度,GB/s
13.7
16.4
写入速度,GB/s
9.7
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2431
2532
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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