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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
14.8
写入速度,GB/s
9.7
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3073
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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