RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2431
2532
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link