RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3650
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link