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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Note globale
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Raisons de considérer
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2096
3119
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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