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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Razões a considerar
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
39
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3119
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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