RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
59
Autour de -127% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3252
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link