RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
59
Autour de -34% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
44
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2523
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link