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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
59
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
44
读取速度,GB/s
4,723.5
17.3
写入速度,GB/s
2,076.1
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2523
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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