RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3917
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link