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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,076.1
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
59
Por volta de -136% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
17.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
3917
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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