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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
59
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2581
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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