RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
59
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2581
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link