RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
59
Autour de -90% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2371
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link