RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.4
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2046
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link