RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2565
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link