RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
27
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2322
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link