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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
13.2
13.3
写入速度,GB/s
8.6
8.5
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2322
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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