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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
46
读取速度,GB/s
13.2
12.2
写入速度,GB/s
8.6
7.9
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2072
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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