RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
68
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
68
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1904
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link