RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
62
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
3672
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link