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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
62
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
31
读取速度,GB/s
4,216.7
18.2
写入速度,GB/s
1,658.4
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
3672
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Mushkin 991586 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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