RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
62
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
2361
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link