SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 12.5

Среднее значение в тестах

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 62

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.4 1,658.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 31
Скорость чтения, Гб/сек

4,216.7 12.5
Скорость записи, Гб/сек

1,658.4 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

688 2361

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB

Corsair CMZ16GX3M4A1600C9 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB

модули RAM