RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
48
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2591
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link