RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2591
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link