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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
48
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
37
读取速度,GB/s
8.9
14.2
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2591
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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