Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 42

Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 29
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 17.8
Скорость записи, Гб/сек

9.0 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 3462

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

Kingston XWM8G1-MIE 32GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM