RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3462
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link