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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,013.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
68
Autour de -89% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,402.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,013.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
701
3169
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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