RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3036
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link