RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3036
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link