RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
60
Autour de -140% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
25
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3849
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link