RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
60
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3849
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link