RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
60
Autour de -173% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
22
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3007
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link