RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
60
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
22
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3007
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link