RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2855
3224
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link