RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2973
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link