RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2973
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link